8月31日，针对《韩国先驱报》关于SK海力士考虑委托英特尔代工制造HBM内存基础裸片（Base Die）的报道，SK海力士回应称“部分内容与事实不符”，并表示“难以确认有关本公司技术路线图的内容”。
《韩国先驱报》当日报道称，SK海力士正考虑实现先进HBM基础裸片供应商的多元化，英特尔代工（Intel Foundry）最早有望在HBM4E世代加入，从而结束台积电（TSMC）独占这部分订单的局面。报道援引消息人士称，台积电的Base Die报价显著高于SK海力士自产DRAM Die的成本，引入英特尔作为第二供应商将提升SK海力士在与台积电谈判时的议价能力。
从技术演进路径看，HBM基础裸片长期采用与DRAM Die相同的存储半导体工艺。随着复杂度和PPA（功耗、性能、面积）要求的提升，SK海力士从HBM4开始将Base Die切换为逻辑半导体工艺，并已确认在HBM4上采用台积电的12nm制程。这一工艺切换意味着HBM基础裸片的制造难度和成本均有所上升，也为其代工供应链的调整提供了空间。
SK海力士是全球HBM市场的主要供应商之一，其客户包括英伟达等AI芯片厂商。当前HBM市场正处于HBM3E向HBM4过渡的关键阶段，基础裸片工艺的升级直接影响产品的能效和集成度。若英特尔代工能够进入HBM基础裸片供应链，将标志着其先进制程在AI存储领域获得突破，同时改变台积电在该细分市场的独家地位。
截至目前，英特尔代工尚未对相关报道作出公开回应。SK海力士的回应表明，关于其代工策略的讨论仍存在不确定性，HBM基础裸片供应链的最终格局有待进一步观察。
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