据韩国媒体 Chosun Biz 11 月 12 日报道,SK 海力士第六代高带宽内存 HBM4 的良率已超过 70%。HBM 通过垂直堆叠 DRAM 提升带宽,是 AI 训练与推理加速卡的关键配套器件,良率与堆叠层数直接决定单颗成本。
HBM4 需将多层 DRAM 堆叠后与逻辑晶圆结合,封装与测试环节的工艺复杂度高于上一代产品。良率突破七成,意味着 SK 海力士在下一代 HBM 的供货上取得了实质进展;报道同时提到,其与三星电子、美光的竞争将更趋激烈。三家厂商均在推进 HBM4 的产能建设,而 HBM 供应能力已成为 AI 服务器整机出货的重要约束条件。
对下游而言,HBM 良率比制程节点更能解释交付节奏。GPU 厂商可以发布新品,但整机能否按期出货,取决于 HBM 的堆叠良率与封装产能;这也是为什么存储厂商的季度良率数据,正在被算力客户当作领先指标来跟踪。综合自 Chosun Biz 报道。
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