据Chosun Biz报道，SK海力士第六代高带宽内存（HBM4）的产能良率已提升至70％以上，与三星电子、美光的下一代内存竞争进一步升温。SK海力士官方尚未正式公布该良率数据。
HBM4通过垂直堆叠多个DRAM芯片提升数据处理速度和带宽，制造流程涵盖单颗芯片制造、堆叠、封装及最终测试等多个环节，工艺难度高于以往产品。良率越低，占用的生产资源越多，制造成本随之上升。行业观察人士认为，在相同计算基础下，良率从60％提升至70％，相同生产投入下获得的合格产品数量可增加约16.7％。不过实际生产中仍需在性能、成本与客户需求之间取得平衡。
在10月28日的第三季度财报电话会议上，SK海力士表示，HBM4在前端和后端流程的良率均处于业内最佳水平之一，且良率表现超过最初计划，公司已据此上调内部目标。确保早期产量被视为决定大规模生产竞争力的关键变量。
竞争对手方面，三星电子和美光均在加大HBM4推进力度。今年9月有市场观点称，三星电子HBM4良率已提升至约80％。SK海力士在HBM3E市场占据优势地位，但在下一代产品上，保持竞争力不仅依赖性能，还需要生产良率与产能支撑。
随着三家存储厂商在HBM4上持续投入，初期量产良率与稳定供应能力将直接影响下一代高带宽内存市场的份额分配，相关进展值得持续关注。
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