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  AMD披露混合键合3D DRAM能效提升17倍，北方华创刻蚀工艺获突破

  3D DRAM的核心理念，是将晶体管从传统的二维平面微缩转向三维垂直堆叠，通过层层堆叠晶体管来提高存储单元密度。

  5小时前