8月26日消息，据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子与SK海力士两家韩国半导体巨头正持续向中国NAND晶圆厂投资，以扩充闪存产能并缩小供需差距。这一动向显示，在全球存储芯片市场需求回暖的背景下，头部厂商正加速在华产能布局与制程迭代。
报道指出，三星电子自2026年上半年以来一直在推进西安X2晶圆厂的工艺升级，将既有老旧制程产线升级至最新的第9代V NAND（286层）。消息人士透露，三星电子计划为该工厂导入新的蚀刻工艺设备，相关采购订单预计在2026年内落地。西安工厂是三星电子在海外最大的NAND闪存生产基地，此次升级将直接提升该基地的先进制程产能占比。
SK海力士的投资则围绕大连第二晶圆厂展开，计划新增每月3万片晶圆的产能。光刻机等关键制造设备预计将从2026年10月开始导入。大连工厂是SK海力士收购英特尔NAND业务后获得的资产，此前已承接部分闪存生产任务，新产能的释放将强化其在中国市场的供应能力。
两家企业在华扩产的时间点值得关注。当前NAND闪存市场正处于经历前期价格波动后的恢复阶段，AI服务器、企业级存储等下游需求持续增长，对高容量、高堆叠层数闪存产品的需求尤为旺盛。三星电子与SK海力士选择在中国工厂推进先进制程升级与产能扩充，既是对现有资产的高效利用，也反映出对中国制造与供应链体系的长期投入意愿。
从行业格局看，三星电子与SK海力士合计占据全球NAND闪存市场约半数份额，其在中国产能的持续扩张，将进一步巩固两家企业在闪存供应端的领先地位，并对全球存储芯片供需平衡产生直接影响。随着先进制程产能在华落地，中国存储产业链的配套能力与技术水平也有望获得同步提升。
该文观点仅代表作者本人，企服科学平台仅提供信息存储空间服务。
