9月1日消息，随着人工智能基础设施建设持续推动高带宽内存（HBM）需求增长，三星已通过长期供应协议（LTA）锁定约70％的内存产能，协议期限最远覆盖至2031年。据韩国媒体SEDaily报道，这些长期协议使客户能够以远低于现货市场的价格采购HBM产品，现货价格最高可达长协价的5倍。
报道显示，一颗36GB HBM3E模组的现货价格约为287万韩元（约合14,031元人民币），而同类产品在长期供应协议中的价格仅为50万至70万韩元（约合2,445至3,422元人民币）。对于采用16层DRAM堆叠的HBM4产品，单个模组价格约为480万韩元（约合23,467元人民币）。微软、英伟达和谷歌均为三星长期供应协议的客户。
HBM需求持续飙升已导致DRAM市场供应趋紧。HBM可理解为将多层DRAM芯片堆叠封装而成的高性能内存，随着内存厂商向HBM4过渡，DRAM市场面临的供应压力进一步加大。与上一代产品相比，HBM4单个模块使用的DRAM堆叠层数更多，因此占用更多DRAM产能，并进一步减少可用于其他用途的DRAM供应量。
受此影响，韩国两大存储芯片厂商三星和SK海力士已开始考虑扩大内存产能。三星正在考虑将其位于平泽园区的S5晶圆厂改造为内存制造工厂；SK海力士则有意与一家日本企业合作，共同建设合资工厂。
长期供应协议是近年来存储芯片市场出现的新模式。分析人士认为，这类协议能够让厂商提前锁定需求，提高市场需求的可预测性，从而在一定程度上削弱存储芯片行业传统的周期性波动。随着AI算力基础设施建设的持续推进，HBM作为关键配套部件，其供应格局正在重塑整个存储芯片市场的定价机制和产能规划逻辑。
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