市场研究机构Counterpoint Research于11月5日发布《全球内存市场追踪》报告。数据显示，2026年第三季度全球DRAM市场营收接近2000亿美元，同比增长369％，约为去年同期的五倍。报告指出，本轮增长主要由价格上涨驱动，而非出货量的大幅扩张。当季DRAM单位出货量环比仅增长约4％，每Gb平均售价则达到1.9美元。
Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi将当前行情定性为价格推动的超级周期，而非出货量周期。他表示，AI已经将内存从普通大宗商品转变为高价值稀缺资源，买家当前的核心动作是争抢供应而非议价。在价格持续上涨的背景下，存储厂商下一季度预计将再创新的盈利纪录。
从厂商格局来看，三星电子以38％的市场份额稳居DRAM市场第一。SK海力士环比营收增长超过40％，大幅缩小了与三星的差距，追回了今年早些时候丢失的部分市场份额。美光受AI数据中心内存需求拉动同样表现强劲，但增速落后于三星与SK海力士。长鑫存储的市场份额从二季度的10％下滑至三季度的9％，随着竞争对手从四季度开始出货溢价更高的HBM4产品，其份额预计将持续承压。
产品结构方面，HBM营收几乎翻倍，但其在DRAM总营收中的占比反而下降，原因是传统DRAM产品增长更快。Counterpoint Research研究总监MS Hwang表示，随着新一代HBM产品陆续推出，厂商之间的竞争格局也在发生变化。SK海力士此前在HBM3E市场占据优势，而三星HBM4已获得客户积极反馈。他预计，三星有望在明年成为HBM市场份额最高的厂商。
传统DRAM的需求增长与AI基础设施架构的演变密切相关。Counterpoint Research副总监Brady Wang指出，AI智能体正在推动传统DRAM需求增长。该机构云端AI算力追踪数据显示，GPU与CPU的配比已从4:1缩小至2:1，并呈现进一步向1:1靠拢的趋势。以英伟达Vera Rubin机架为例，其每颗CPU插槽搭载的DRAM容量增至1.5TB，接近上一代产品的3倍。Brady Wang还指出，DDR和LPDDR的平均售价均升至历史高位，相关产品营收同比分别增长500％和接近400％。随着服务器CPU用量增加，传统DRAM的需求预计还将继续增长，并可能进一步推高明年的每Gb平均售价，同时给边缘设备市场带来成本压力。
对于后续走势，MS Hwang表示，内存价格明年仍有望保持强势。此前涨幅相对滞后的HBM价格正在追赶传统DRAM，长期供货协议（LTA）为价格提供支撑。此外，主要厂商的新晶圆厂预计要到2028年才会开始投产，供应紧张局面或将延续。他同时提示，短期各家厂商的业绩会因LTA条款存在差异，但长期来看都将保持向上走势。
本轮DRAM超级周期反映出AI算力扩张对存储供应链的深层重塑。随着服务器CPU配比上升与单机架内存容量提升，传统DRAM的增量需求正在被重新定价，而HBM4的出货节奏与晶圆厂产能释放时点，将成为影响下一阶段市场格局的关键变量。
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