据路透社报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占到各家DRAM芯片厂商全部晶圆产能的近30％，高于目前约20％的水平。三星电子执行副总裁金泰宇（Kim Taewoo）指出，HBM与普通DRAM争夺晶圆产能，这意味着扩大HBM的产出规模，有可能挤压标准DRAM的供给。
HBM是AI算力中的关键元器件，由多层存储芯片垂直堆叠而成，可让处理器以极高速度读取海量数据。当前该市场主要由韩国SK海力士、三星电子以及美国美光科技三家企业主导。随着AI大模型训练与推理需求持续增长，HBM已成为存储厂商竞争的核心战场。
产能结构的这一变化，反映出存储行业正在围绕AI基础设施重新分配资源。HBM单位晶圆消耗的产能高于标准DRAM，其占比提升意味着留给传统DRAM的产能空间收窄。对于服务器、PC及消费电子等依赖标准DRAM的领域而言，供给弹性可能随之下降。
三星方面未披露具体的产能扩张计划或投资金额。行业分析认为，HBM产能占比的快速抬升，将在一定程度上影响DRAM整体供需格局与价格走势，后续需关注三大厂商的资本开支节奏及AI芯片需求的实际落地情况。
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